DTA043ZMT2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.61 грн |
| 16+ | 19.49 грн |
| 100+ | 10.32 грн |
| 500+ | 6.37 грн |
| 1000+ | 4.33 грн |
| 2000+ | 3.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA043ZMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA043ZMT2L за ціною від 6.75 грн до 27.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA043ZMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased Digital TR PNP |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DTA043ZMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |