Продукція > ROHM > DTA113ZE3HZGTL
DTA113ZE3HZGTL

DTA113ZE3HZGTL ROHM

dta113ze3hzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+4.85 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA113ZE3HZGTL ROHM

Description: ROHM - DTA113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DTA113ZE3HZGTL за ціною від 3.38 грн до 27.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA113ZE3HZGTL DTA113ZE3HZGTL ROHM dta113ze3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.36 грн
72+11.20 грн
115+7.06 грн
500+4.85 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL DTA113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+12.04 грн
100+7.52 грн
500+5.21 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL DTA113ZE3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
25+12.94 грн
100+7.04 грн
500+5.25 грн
1000+4.49 грн
3000+4.00 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL DTA113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dta113ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL DTA113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dta113ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL dta113ze3hzgtl-e.pdf
DTA113ZE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+18.36 грн
72+11.20 грн
115+7.06 грн
500+4.85 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL datasheet?p=DTA113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA113ZE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.19 грн
25+12.04 грн
100+7.52 грн
500+5.21 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL datasheet?p=DTA113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA113ZE3HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.50 грн
25+12.94 грн
100+7.04 грн
500+5.25 грн
1000+4.49 грн
3000+4.00 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL dta113ze3hzgtl-e.pdf
DTA113ZE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1069+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3HZGTL dta113ze3hzgtl-e.pdf
DTA113ZE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.