Продукція > ROHM > DTA113ZE3TL
DTA113ZE3TL

DTA113ZE3TL ROHM

dta113ze3-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.32 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA113ZE3TL ROHM

Description: ROHM - DTA113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTA113ZE3TL за ціною від 3.02 грн до 19.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA113ZE3TL DTA113ZE3TL ROHM dta113ze3-e.pdf Description: ROHM - DTA113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.33 грн
82+10.09 грн
130+6.34 грн
500+4.32 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3TL DTA113ZE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA113ZE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
29+10.82 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3TL DTA113ZE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA113ZE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.03 грн
28+11.65 грн
100+6.33 грн
500+4.64 грн
1000+4.08 грн
3000+3.66 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3TL DTA113ZE3TL Rohm Semiconductor dta113ze3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3TL dta113ze3-e.pdf
DTA113ZE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+16.33 грн
82+10.09 грн
130+6.34 грн
500+4.32 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3TL datasheet?p=DTA113ZE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA113ZE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.20 грн
29+10.82 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3TL datasheet?p=DTA113ZE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA113ZE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.03 грн
28+11.65 грн
100+6.33 грн
500+4.64 грн
1000+4.08 грн
3000+3.66 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113ZE3TL dta113ze3-e.pdf
DTA113ZE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.