Продукція > ROHM > DTA114EE3HZGTL
DTA114EE3HZGTL

DTA114EE3HZGTL ROHM


dta114ee3hzgtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.80 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114EE3HZGTL ROHM

Description: ROHM - DTA114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTA114EE3HZGTL за ціною від 3.38 грн до 28.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114EE3HZGTL DTA114EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta114ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2266+5.38 грн
2393+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 2266
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3HZGTL DTA114EE3HZGTL Виробник : ROHM dta114ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.39 грн
70+11.88 грн
148+5.58 грн
500+4.80 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3HZGTL DTA114EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
20+15.79 грн
100+9.90 грн
500+6.89 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3HZGTL DTA114EE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.58 грн
20+17.26 грн
100+7.06 грн
1000+6.03 грн
3000+5.15 грн
9000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3HZGTL DTA114EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta114ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3HZGTL DTA114EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.