Продукція > ROHM > DTA114EE3TL
DTA114EE3TL

DTA114EE3TL ROHM


dta114ee3-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.97 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114EE3TL ROHM

Description: ROHM - DTA114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTA114EE3TL за ціною від 3.34 грн до 21.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114EE3TL DTA114EE3TL Виробник : ROHM dta114ee3-e.pdf Description: ROHM - DTA114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.38 грн
69+12.63 грн
111+7.92 грн
500+4.97 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3TL DTA114EE3TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.01 грн
28+12.86 грн
100+6.99 грн
500+5.12 грн
1000+4.50 грн
3000+4.04 грн
6000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3TL DTA114EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dta114ee3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3TL DTA114EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EE3TL DTA114EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.