DTA114EET1G

DTA114EET1G ON Semiconductor


dta114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 36000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTA114EET1G за ціною від 1.21 грн до 12.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 43916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7813+1.56 грн
7937+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 7813
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.35 грн
6000+2.01 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.60 грн
1000+1.62 грн
5000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.66 грн
175+2.29 грн
500+2.06 грн
600+1.58 грн
1600+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.39 грн
125+2.85 грн
500+2.48 грн
600+1.90 грн
1600+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 43916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+5.76 грн
198+3.05 грн
200+3.02 грн
413+1.41 грн
417+1.29 грн
500+1.22 грн
15000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.77 грн
131+6.30 грн
269+3.07 грн
500+2.57 грн
1000+2.13 грн
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 19456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
44+7.03 грн
100+4.34 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.24 грн
53+6.41 грн
109+2.72 грн
1000+2.42 грн
3000+1.91 грн
9000+1.54 грн
24000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G Виробник : ONS dta114e-d.pdf Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ PNP SMD SC-75 Uceo=-50V; Ic=-0,05A; Pdmax=0,150W;
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
159+1.83 грн
182+1.48 грн
200+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.