Продукція > ONSEMI > DTA114EET1G
DTA114EET1G

DTA114EET1G ONSEMI

dta114e-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 5510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
278+1.62 грн
358+1.17 грн
379+1.10 грн
500+1.05 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114EET1G ONSEMI

Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DTA114EET1G за ціною від 0.74 грн до 11.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5510 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
167+1.94 грн
215+1.45 грн
228+1.32 грн
500+1.26 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 22905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6608+1.96 грн
8983+1.44 грн
10715+1.21 грн
13158+0.95 грн
14564+0.79 грн
15000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 6608
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6073+2.13 грн
6356+2.04 грн
9000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 6073
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
6000+2.19 грн
9000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.95 грн
1000+2.33 грн
5000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 22905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+5.70 грн
217+3.42 грн
220+3.38 грн
348+2.05 грн
353+1.88 грн
500+1.33 грн
1000+1.11 грн
3000+0.90 грн
6000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.90 грн
49+6.15 грн
100+3.81 грн
500+2.59 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 6266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.15 грн
43+7.56 грн
100+4.15 грн
500+2.63 грн
1000+2.28 грн
3000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.63 грн
116+6.97 грн
187+4.34 грн
500+2.95 грн
1000+2.33 грн
5000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.