Продукція > ONSEMI > DTA114EET1G
DTA114EET1G

DTA114EET1G ONSEMI

DTA114E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+1.63 грн
358+1.17 грн
379+1.11 грн
500+1.06 грн
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 278 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114EET1G ONSEMI

Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA114EET1G за ціною від 2.22 грн до 14.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4951+2.86 грн
6000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4951 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114ed.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2902+4.87 грн
3827+3.70 грн
4425+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 2902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114ed.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.11 грн
102+7.47 грн
105+7.22 грн
147+4.96 грн
250+4.35 грн
500+3.17 грн
1000+2.74 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G onsemi DTA114E-D.PDF description Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114ed.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.36 грн
84+9.08 грн
137+5.53 грн
500+3.81 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G onsemi DTA114E-D.PDF description Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ONSEMI 2353760.pdf description Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 15187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114ed.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G DTA114EET1G ONSEMI 2353760.pdf description Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 15187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description dta114e-d.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.84 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description dta114e-d.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4951+2.86 грн
6000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4951 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description dta114ed.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2902+4.87 грн
3827+3.70 грн
4425+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 2902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description dta114ed.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+10.11 грн
102+7.47 грн
105+7.22 грн
147+4.96 грн
250+4.35 грн
500+3.17 грн
1000+2.74 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description DTA114E-D.PDF
DTA114EET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description dta114ed.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.36 грн
84+9.08 грн
137+5.53 грн
500+3.81 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description DTA114E-D.PDF
DTA114EET1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description 2353760.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 15187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description dta114ed.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description dta114e-d.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EET1G description 2353760.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 15187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.