
DTA114EMFHAT2L ROHM

Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 4.66 грн |
1000+ | 3.95 грн |
5000+ | 3.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114EMFHAT2L ROHM
Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-105AA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTA114EMFHAT2L за ціною від 3.16 грн до 25.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTA114EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA114EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA114EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA114EMFHAT2L | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA114EMFHAT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA114EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DTA114EMFHAT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |