Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA114EMFHAT2L
DTA114EMFHAT2L

DTA114EMFHAT2L Rohm Semiconductor

dta114emfha-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2565+5.53 грн
2646+5.36 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114EMFHAT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-105AA, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DTA114EMFHAT2L за ціною від 3.31 грн до 24.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA114EMFHAT2L DTA114EMFHAT2L ROHM dta114emfha-e.pdf Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.02 грн
500+5.70 грн
1000+4.17 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L DTA114EMFHAT2L Rohm Semiconductor dta114emfha-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+18.64 грн
1237+11.46 грн
1654+8.57 грн
2047+6.68 грн
2509+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L DTA114EMFHAT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.31 грн
100+8.34 грн
500+5.79 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L DTA114EMFHAT2L ROHM dta114emfha-e.pdf Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.60 грн
56+14.42 грн
100+9.02 грн
500+5.70 грн
1000+4.17 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L DTA114EMFHAT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
22+14.93 грн
100+8.22 грн
500+6.08 грн
1000+4.83 грн
5000+3.93 грн
8000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L DTA114EMFHAT2L Rohm Semiconductor dta114emfha-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L dta114emfha-e.pdf
DTA114EMFHAT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.02 грн
500+5.70 грн
1000+4.17 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L dta114emfha-e.pdf
DTA114EMFHAT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
761+18.64 грн
1237+11.46 грн
1654+8.57 грн
2047+6.68 грн
2509+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L datasheet?p=DTA114EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA114EMFHAT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.52 грн
23+13.31 грн
100+8.34 грн
500+5.79 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L dta114emfha-e.pdf
DTA114EMFHAT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+23.60 грн
56+14.42 грн
100+9.02 грн
500+5.70 грн
1000+4.17 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L datasheet?p=DTA114EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA114EMFHAT2L
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.97 грн
22+14.93 грн
100+8.22 грн
500+6.08 грн
1000+4.83 грн
5000+3.93 грн
8000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EMFHAT2L dta114emfha-e.pdf
DTA114EMFHAT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.