DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.77 грн |
| 6000+ | 2.38 грн |
| 9000+ | 2.23 грн |
| 15000+ | 1.94 грн |
| 21000+ | 1.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTA114EU3T106 за ціною від 2.47 грн до 16.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 8273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 6209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 4209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 21363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 6209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTA114EU3T106 | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3 |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 110 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTA114EU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1021 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 8273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3948+ | 3.58 грн |
| 4066+ | 3.48 грн |
| 5000+ | 3.39 грн |
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1954+ | 7.24 грн |
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1395+ | 10.15 грн |
| 2298+ | 6.16 грн |
| 3093+ | 4.57 грн |
| 3505+ | 3.89 грн |
| 4386+ | 2.88 грн |
| 6000+ | 2.47 грн |
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 4209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1389+ | 10.18 грн |
| 2273+ | 6.22 грн |
| 3165+ | 4.47 грн |
| 3632+ | 3.76 грн |
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 21363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.32 грн |
| 39+ | 7.77 грн |
| 100+ | 4.78 грн |
| 500+ | 3.26 грн |
| 1000+ | 2.87 грн |
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 16.16 грн |
| 75+ | 10.15 грн |
| 123+ | 6.16 грн |
| 500+ | 4.41 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| 3000+ | 2.76 грн |
| 6000+ | 2.47 грн |
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114EU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




