DTA114EUBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 69140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6819+ | 1.72 грн |
6881+ | 1.7 грн |
7773+ | 1.51 грн |
8153+ | 1.38 грн |
12000+ | 1.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114EUBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3F, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTA114EUBTL за ціною від 1.67 грн до 15.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTA114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA114EUB TL | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 5443 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DTA114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товар відсутній |