Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA114GU3HZGT106
DTA114GU3HZGT106

DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

dta114gu3hzgt106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2443+5.79 грн
2517+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA114GU3HZGT106 за ціною від 5.16 грн до 23.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dta114gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+17.72 грн
100+10.99 грн
500+8.18 грн
1000+6.92 грн
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dta114gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+17.72 грн
1287+10.99 грн
1729+8.18 грн
1972+6.92 грн
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dta114gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+18.20 грн
2000+11.41 грн
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
23+13.51 грн
100+8.40 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 ROHM 4117216.pdf Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 ROHM 4117216.pdf Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 dta114gu3hzgt106-e.pdf
DTA114GU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+17.72 грн
100+10.99 грн
500+8.18 грн
1000+6.92 грн
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 dta114gu3hzgt106-e.pdf
DTA114GU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
799+17.72 грн
1287+10.99 грн
1729+8.18 грн
1972+6.92 грн
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 dta114gu3hzgt106-e.pdf
DTA114GU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1021+18.20 грн
2000+11.41 грн
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA114GU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
23+13.51 грн
100+8.40 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA114GU3HZGT106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 4117216.pdf
DTA114GU3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 4117216.pdf
DTA114GU3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.