DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2443+ | 5.83 грн |
| 2517+ | 5.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2443 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції DTA114GU3HZGT106 за ціною від 3.80 грн до 29.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTA114GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors Transistor, PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital (Bias Resistor Built-in ) |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTA114GU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTA114GU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323F; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323F Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| DTA114GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 794+ | 17.94 грн |
| 1279+ | 11.13 грн |
| 1719+ | 8.29 грн |
| 1959+ | 7.01 грн |
| 3000+ | 5.81 грн |
| DTA114GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.37 грн |
| 23+ | 13.07 грн |
| 100+ | 8.17 грн |
| 500+ | 5.67 грн |
| 1000+ | 5.02 грн |
| DTA114GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Transistor, PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital (Bias Resistor Built-in )
Digital Transistors Transistor, PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.91 грн |
| 21+ | 14.89 грн |
| 100+ | 8.12 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 5.34 грн |
| 3000+ | 5.27 грн |
| 6000+ | 3.95 грн |
| DTA114GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.59 грн |
| 43+ | 17.94 грн |
| 100+ | 11.13 грн |
| 500+ | 7.99 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| 3000+ | 5.57 грн |
| DTA114GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323F; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323F
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323F; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323F
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1323+ | 3.80 грн |





