Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA114GU3T106
DTA114GU3T106

DTA114GU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA114GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
24+12.54 грн
100+7.82 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114GU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA114GU3T106

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 ROHM 4117226.pdf Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 Rohm Semiconductor dta114gu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 ROHM 4117226.pdf Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 Rohm Semiconductor dta114gu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 datasheet?p=DTA114GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA114GU3T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 4117226.pdf
DTA114GU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 dta114gu3t106-e.pdf
DTA114GU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 4117226.pdf
DTA114GU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3T106 dta114gu3t106-e.pdf
DTA114GU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.