DTA114TE3TL

DTA114TE3TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTA114TE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114TE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTA114TE3TL за ціною від 2.29 грн до 20.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114TE3TL DTA114TE3TL Виробник : ROHM dta114te3-e.pdf Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.50 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114TE3TL DTA114TE3TL Виробник : ROHM dta114te3-e.pdf Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+17.01 грн
82+10.51 грн
130+6.61 грн
500+4.50 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114TE3TL DTA114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114TE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.95 грн
28+11.35 грн
100+7.08 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114TE3TL DTA114TE3TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114TE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.62 грн
28+12.62 грн
100+6.86 грн
500+5.03 грн
1000+4.42 грн
3000+2.59 грн
6000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114TE3TL DTA114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dta114te3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114TE3TL DTA114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dta114te3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114TE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.