Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114TMT2L ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Resistors Included: R1 Only, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: VMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DTA114TMT2L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA114TMT2L | Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
DTA114TMT2L | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2084 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTA114TMT2L |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114TMT2L |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)