DTA114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 15.98 грн |
| 100+ | 10.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114T Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTA114TU3HZGT106 за ціною від 5.30 грн до 24.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DTA114TU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DTA114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 66 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DTA114TU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 175 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DTA114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1613 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTA114TU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.02 грн |
| 22+ | 13.80 грн |
| 100+ | 8.63 грн |
| 500+ | 5.98 грн |
| 1000+ | 5.30 грн |
| DTA114TU3HZGT106 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114TU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114TU3HZGT106 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTA114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - DTA114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTA114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA114TU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)