DTA114WUAT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3572+ | 3.41 грн |
| 3580+ | 3.40 грн |
| 4190+ | 2.90 грн |
| 4425+ | 2.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114WUAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA114WUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114W Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTA114WUAT106 за ціною від 3.46 грн до 22.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA114WUAT106 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - DTA114WUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114W Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DTA114WUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DTA114WUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 2384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DTA114WUAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTA114WUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114W Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DTA114WUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DTA114WUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DTA114WUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DTA114WUAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP 50V 100MA |
товару немає в наявності |