DTA114YCAT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2333+ | 5.23 грн |
| 2500+ | 5.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114YCAT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA114YCAT116 за ціною від 2.21 грн до 14.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTA114YCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA114YCAT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA114YCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTA114YCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DTA114YCAT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DTA114YCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DTA114YCAT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товару немає в наявності |