DTA114YE3HZGTL

DTA114YE3HZGTL Rohm Semiconductor


dta114ye3hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2852+4.28 грн
2936+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 2852
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114YE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTA114YE3HZGTL за ціною від 3.68 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114YE3HZGTL DTA114YE3HZGTL Виробник : ROHM dta114ye3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA114YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.80 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3HZGTL DTA114YE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta114ye3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1078+13.83 грн
2000+8.62 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 1078
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3HZGTL DTA114YE3HZGTL Виробник : ROHM dta114ye3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA114YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.39 грн
70+11.88 грн
148+5.58 грн
500+4.80 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3HZGTL DTA114YE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
25+12.49 грн
100+7.79 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3HZGTL DTA114YE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114YE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.09 грн
18+19.46 грн
100+9.56 грн
500+6.40 грн
1000+4.86 грн
3000+4.19 грн
6000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3HZGTL DTA114YE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.