Продукція > ROHM > DTA114YE3TL
DTA114YE3TL

DTA114YE3TL ROHM


dta114ye3-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA114YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.87 грн
129+6.22 грн
500+4.24 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114YE3TL ROHM

Description: ROHM - DTA114YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTA114YE3TL за ціною від 2.96 грн до 18.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114YE3TL DTA114YE3TL Виробник : ROHM dta114ye3-e.pdf Description: ROHM - DTA114YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.04 грн
82+9.87 грн
129+6.22 грн
500+4.24 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3TL DTA114YE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.79 грн
28+10.65 грн
100+6.64 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3TL DTA114YE3TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114YE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.61 грн
28+11.39 грн
100+6.19 грн
500+4.54 грн
1000+3.99 грн
3000+3.58 грн
6000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3TL DTA114YE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dta114ye3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YE3TL DTA114YE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.