
DTA114YEBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114YEBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTA114YEBTL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTA114YEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
DTA114YEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
DTA114YEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
DTA114YEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DTA114YEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DTA114YEBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |