
DTA114YET1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
354+ | 1.70 грн |
564+ | 1.07 грн |
852+ | 0.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA114YET1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTA114YET1G за ціною від 0.59 грн до 12.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...140 |
на замовлення 7790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...140 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 15780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |