Продукція > ROHM > DTA115EE3TL
DTA115EE3TL

DTA115EE3TL ROHM

dta115ee3-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.24 грн
124+6.66 грн
500+4.56 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA115EE3TL ROHM

Description: ROHM - DTA115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA115E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA115EE3TL за ціною від 3.02 грн до 19.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA115EE3TL DTA115EE3TL ROHM dta115ee3-e.pdf Description: ROHM - DTA115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.39 грн
73+11.24 грн
124+6.66 грн
500+4.56 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EE3TL DTA115EE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA115EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
28+10.89 грн
100+6.79 грн
500+4.69 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EE3TL DTA115EE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA115EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.03 грн
28+11.65 грн
100+6.33 грн
500+4.64 грн
1000+4.08 грн
3000+3.66 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EE3TL DTA115EE3TL Rohm Semiconductor dta115ee3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EE3TL dta115ee3-e.pdf
DTA115EE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.39 грн
73+11.24 грн
124+6.66 грн
500+4.56 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EE3TL datasheet?p=DTA115EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA115EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.20 грн
28+10.89 грн
100+6.79 грн
500+4.69 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EE3TL datasheet?p=DTA115EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA115EE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.03 грн
28+11.65 грн
100+6.33 грн
500+4.64 грн
1000+4.08 грн
3000+3.66 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EE3TL dta115ee3-e.pdf
DTA115EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.