Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTA115EET1G
DTA115EET1G

DTA115EET1G ON Semiconductor

dta114eet1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA115EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA115EET1G за ціною від 1.19 грн до 11.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8427+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 8427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7576+1.87 грн
7693+1.84 грн
7813+1.81 грн
7937+1.72 грн
8065+1.57 грн
15000+1.48 грн
30000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 7576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G onsemi dta115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
6000+2.00 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.48 грн
75000+1.29 грн
150000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+2.56 грн
500+1.51 грн
635+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+3.31 грн
387+1.95 грн
391+1.93 грн
399+1.83 грн
405+1.67 грн
500+1.58 грн
1000+1.55 грн
3000+1.53 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.53 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.53 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 80...150
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC75; SOT416
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
46+9.23 грн
53+7.97 грн
100+4.24 грн
500+2.85 грн
1000+2.47 грн
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G onsemi dta115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 194750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+6.94 грн
100+4.29 грн
500+2.92 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G onsemi dta115e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI 2907495.pdf Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI 2907495.pdf Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8427+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 8427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7576+1.87 грн
7693+1.84 грн
7813+1.81 грн
7937+1.72 грн
8065+1.57 грн
15000+1.48 грн
30000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 7576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.34 грн
6000+2.00 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.48 грн
75000+1.29 грн
150000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
296+2.56 грн
500+1.51 грн
635+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+3.31 грн
387+1.95 грн
391+1.93 грн
399+1.83 грн
405+1.67 грн
500+1.58 грн
1000+1.55 грн
3000+1.53 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7813+4.53 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta114eet1-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7813+4.53 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 80...150
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC75; SOT416
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
46+9.23 грн
53+7.97 грн
100+4.24 грн
500+2.85 грн
1000+2.47 грн
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 194750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
44+6.94 грн
100+4.29 грн
500+2.92 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G 2907495.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G 2907495.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.