DTA115EET1G ON Semiconductor
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8427+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA115EET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DTA115EET1G за ціною від 1.17 грн до 13.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 5550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 80...150 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 194750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 80...150 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 6727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|



