DTA115EMHZGT2L

DTA115EMHZGT2L Rohm Semiconductor


VMT3.jpg Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA115EMHZGT2L Rohm Semiconductor

Description: PNP, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: VMT3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DTA115EMHZGT2L за ціною від 2.59 грн до 8.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA115EMHZGT2L DTA115EMHZGT2L Виробник : Rohm Semiconductor VMT3.jpg Description: PNP, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.86 грн
58+5.30 грн
66+4.63 грн
100+3.66 грн
250+3.34 грн
500+3.14 грн
1000+2.93 грн
2500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EMHZGT2L DTA115EMHZGT2L Виробник : ROHM Semiconductor VMT3.jpg Digital Transistors PNP, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.40 грн
57+5.71 грн
100+3.63 грн
500+3.07 грн
1000+2.94 грн
2500+2.80 грн
8000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EMHZGT2L Виробник : Rohm Semiconductor VMT3.jpg DTA115EMHZGT2L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.