DTA115EU3T106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.88 грн |
| 38+ | 8.49 грн |
| 100+ | 5.22 грн |
| 500+ | 3.56 грн |
| 1000+ | 3.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA115EU3T106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.
Інші пропозиції DTA115EU3T106
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA115EU3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT Tape |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
DTA115EU3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
товару немає в наявності |
|
 |
DTA115EU3T106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323 |
товару немає в наявності |