Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA115GU3T106
DTA115GU3T106

DTA115GU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA115GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
22+14.10 грн
26+11.49 грн
100+8.02 грн
250+6.65 грн
500+5.81 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA115GU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA115GU3T106

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA115GU3T106 DTA115GU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA115GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA115GU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 DTA115GU3T106 ROHM 4117224.pdf Description: ROHM - DTA115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 DTA115GU3T106 Rohm Semiconductor dta115gu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 DTA115GU3T106 Rohm Semiconductor dta115gu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 DTA115GU3T106 ROHM 4117224.pdf Description: ROHM - DTA115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 datasheet?p=DTA115GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA115GU3T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA115GU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 4117224.pdf
DTA115GU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 dta115gu3t106-e.pdf
DTA115GU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 dta115gu3t106-e.pdf
DTA115GU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115GU3T106 4117224.pdf
DTA115GU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.