Технічний опис DTA115TMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: VMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DTA115TMT2L за ціною від 2.88 грн до 3.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA115TMT2L | Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DTA115TMT2L |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4425+ | 3.20 грн |
| 4438+ | 3.19 грн |
| 4919+ | 2.88 грн |