DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2184+ | 5.57 грн |
| 2500+ | 5.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTA123EE3HZGTL за ціною від 4.48 грн до 32.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA123EE3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA123EE3HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTA123EE3HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTA123EE3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA123EE3HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTA123EE3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|