DTA123EE3HZGTL

DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor


dta123ee3hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2184+5.59 грн
2500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 2184
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTA123EE3HZGTL за ціною від 3.68 грн до 33.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Виробник : ROHM dta123ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.37 грн
500+9.12 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Виробник : ROHM dta123ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.04 грн
61+13.70 грн
129+6.44 грн
500+4.98 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
17+18.39 грн
100+9.30 грн
500+7.73 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.62 грн
17+19.97 грн
100+8.17 грн
1000+6.33 грн
3000+5.44 грн
9000+4.63 грн
24000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta123ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+33.05 грн
494+24.70 грн
531+22.98 грн
580+20.30 грн
1516+7.19 грн
2000+6.54 грн
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.