Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA123EE3HZGTL
DTA123EE3HZGTL

DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA123EE3HZGTL за ціною від 3.87 грн до 26.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor dta123ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2233+6.35 грн
2500+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 2233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL ROHM dta123ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.30 грн
500+5.69 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor dta123ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1098+12.92 грн
1490+9.52 грн
1717+8.26 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1098 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL ROHM dta123ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.75 грн
61+13.21 грн
100+8.30 грн
500+5.69 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.61 грн
21+15.32 грн
100+8.35 грн
500+6.14 грн
1000+5.52 грн
3000+4.28 грн
6000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+17.95 грн
100+9.07 грн
500+7.54 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL dta123ee3hzgtl-e.pdf
DTA123EE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2233+6.35 грн
2500+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 2233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL dta123ee3hzgtl-e.pdf
DTA123EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.30 грн
500+5.69 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL dta123ee3hzgtl-e.pdf
DTA123EE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1098+12.92 грн
1490+9.52 грн
1717+8.26 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1098 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL dta123ee3hzgtl-e.pdf
DTA123EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+21.75 грн
61+13.21 грн
100+8.30 грн
500+5.69 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA123EE3HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.61 грн
21+15.32 грн
100+8.35 грн
500+6.14 грн
1000+5.52 грн
3000+4.28 грн
6000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTL datasheet?p=DTA123EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA123EE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.41 грн
17+17.95 грн
100+9.07 грн
500+7.54 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.