Продукція > ONSEMI > DTA123EET1G
DTA123EET1G

DTA123EET1G onsemi

dta123e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.70 грн
6000+2.45 грн
9000+2.09 грн
30000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123EET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

Інші пропозиції DTA123EET1G за ціною від 1.51 грн до 17.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA123EET1G DTA123EET1G Виробник : onsemi dta123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.51 грн
30+10.61 грн
100+5.74 грн
500+4.23 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1G DTA123EET1G Виробник : onsemi DTA123E_D-2310980.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.17 грн
31+11.45 грн
100+4.45 грн
1000+2.57 грн
3000+2.19 грн
9000+1.81 грн
45000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000248328-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 202443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1G DTA123EET1G Виробник : ON Semiconductor dta123e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1G DTA123EET1G Виробник : ON Semiconductor dta123e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.