DTA123EMT2L Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2703+ | 5.24 грн |
| 2783+ | 5.09 грн |
| 5000+ | 4.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Інші пропозиції DTA123EMT2L за ціною від 4.27 грн до 21.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3Supplier Device Package: VMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 1551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1316 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTA123EMT2L |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.75 грн |
| 24+ | 12.56 грн |
| 100+ | 7.84 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 4.80 грн |
| 2000+ | 4.27 грн |
| DTA123EMT2L |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)