Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA123EU3HZGT106
DTA123EU3HZGT106

DTA123EU3HZGT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
24+12.84 грн
100+8.01 грн
500+5.54 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123EU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTA123EU3HZGT106

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA123EU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EU3HZGT106 DTA123EU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EU3HZGT106 DTA123EU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor dta123eu3hzgt106_e-1872421.pdf Digital Transistors PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.