Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA123EU3HZGT106
DTA123EU3HZGT106

DTA123EU3HZGT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
25+12.24 грн
100+7.62 грн
500+5.27 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123EU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTA123EU3HZGT106

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA123EU3HZGT106 DTA123EU3HZGT106 ROHM 2736243.pdf Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EU3HZGT106 DTA123EU3HZGT106 ROHM 2736243.pdf Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EU3HZGT106 DTA123EU3HZGT106 Rohm Semiconductor dta123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EU3HZGT106 2736243.pdf
DTA123EU3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EU3HZGT106 2736243.pdf
DTA123EU3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EU3HZGT106 dta123eu3t106-e.pdf
DTA123EU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1667 шт
В кошику  од. на суму  грн.