DTA123EUAT106

DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor


dta123emt2l-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 10179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2326+5.25 грн
2632+4.64 грн
3497+3.49 грн
3990+2.95 грн
4167+2.61 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 2326
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA123EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTA123EUAT106 за ціною від 2.87 грн до 20.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA123EUAT106 DTA123EUAT106 Виробник : ROHM ROHM-S-A0008988548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - DTA123EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.33 грн
79+10.56 грн
173+4.79 грн
500+3.98 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EUAT106 DTA123EUAT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123EUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP 50V 100MA
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.00 грн
25+13.62 грн
100+4.86 грн
3000+3.75 грн
9000+3.31 грн
24000+3.16 грн
45000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EUAT106 DTA123EUAT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
20+16.09 грн
100+8.54 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EUA T106 Виробник : ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EUAT106 DTA123EUAT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.