Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA123JE3TL
DTA123JE3TL

DTA123JE3TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA123JE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.28 грн
26+11.51 грн
100+7.19 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123JE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTA123JE3TL за ціною від 3.24 грн до 24.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA123JE3TL DTA123JE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123JE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors Transistor, PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
15+21.25 грн
24+12.78 грн
100+6.95 грн
500+5.19 грн
1000+4.53 грн
3000+4.46 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL DTA123JE3TL Rohm Semiconductor dta123je3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.77 грн
51+15.09 грн
100+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL DTA123JE3TL ROHM dta123je3-e.pdf Description: ROHM - DTA123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL DTA123JE3TL Rohm Semiconductor dta123je3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL DTA123JE3TL Rohm Semiconductor dta123je3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL DTA123JE3TL Rohm Semiconductor dta123je3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL DTA123JE3TL ROHM dta123je3-e.pdf Description: ROHM - DTA123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL DTA123JE3TL Rohm Semiconductor dta123je3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTA123JE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: Transistors - Unclassified
Description: DTA123JE3TL
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1588+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 1588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL datasheet?p=DTA123JE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA123JE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Transistor, PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.25 грн
24+12.78 грн
100+6.95 грн
500+5.19 грн
1000+4.53 грн
3000+4.46 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL dta123je3-e.pdf
DTA123JE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+24.77 грн
51+15.09 грн
100+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL dta123je3-e.pdf
DTA123JE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL dta123je3-e.pdf
DTA123JE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL dta123je3-e.pdf
DTA123JE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL dta123je3-e.pdf
DTA123JE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL dta123je3-e.pdf
DTA123JE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL dta123je3-e.pdf
DTA123JE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JE3TL datasheet?p=DTA123JE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Transistors - Unclassified
Description: DTA123JE3TL
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1588+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 1588 шт
В кошику  од. на суму  грн.