DTA123JEBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4703+ | 2.54 грн |
| 4732+ | 2.53 грн |
| 5515+ | 2.17 грн |
| 6000+ | 1.98 грн |
| 12000+ | 1.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123JEBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA123JEBTL за ціною від 5.37 грн до 6.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTA123JEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 14850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DTA123JEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DTA123JEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DTA123JEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DTA123JEBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR |
товар відсутній |