DTA123JEBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5953+ | 2.04 грн |
| 6579+ | 1.85 грн |
| 6850+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123JEBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA123JEBTL за ціною від 3.46 грн до 3.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTA123JEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DTA123JEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
DTA123JEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
DTA123JEBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors TRANSISTOR |
товару немає в наявності |