Технічний опис DTA123JET1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції DTA123JET1G за ціною від 1.42 грн до 14.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTA123JET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123JET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 11935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123JET1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123JET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123JET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 25333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123JET1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DTA123JET1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 14079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA123JET1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DTA123JET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 304333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8523+ | 1.66 грн |
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 356+ | 2.12 грн |
| 530+ | 1.42 грн |
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.58 грн |
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9494+ | 2.97 грн |
| 10601+ | 2.66 грн |
| 100000+ | 2.22 грн |
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 25333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9494+ | 2.97 грн |
| 10601+ | 2.66 грн |
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.86 грн |
| 30+ | 10.17 грн |
| 100+ | 5.50 грн |
| 500+ | 4.06 грн |
| 1000+ | 2.82 грн |
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DTA123JET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 304333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




