Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTA123JET1G
DTA123JET1G

DTA123JET1G ON Semiconductor

dta123j-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8523+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8523 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA123JET1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції DTA123JET1G за ціною від 2.12 грн до 17.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA123JET1G DTA123JET1G onsemi DTA123J-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123JET1G ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.56 грн
10000+4.07 грн
100000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123JET1G ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 25333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.56 грн
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123JET1G ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123JET1G ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2246+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 2246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123JET1G onsemi DTA123J-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
40+7.43 грн
100+4.59 грн
500+3.14 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123JET1G onsemi DTA123J-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 13938 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
22+13.91 грн
37+8.24 грн
100+4.46 грн
500+3.29 грн
1000+2.93 грн
3000+2.27 грн
9000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123JET1G ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.41 грн
74+10.34 грн
120+6.34 грн
500+4.42 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G ONSEMI ONSM-S-A0003071246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 304333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123J-D.PDF
DTA123JET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G dta123j-d.pdf
DTA123JET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7813+4.56 грн
10000+4.07 грн
100000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G dta123j-d.pdf
DTA123JET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 25333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7813+4.56 грн
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G dta123j-d.pdf
DTA123JET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7813+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G dta123j-d.pdf
DTA123JET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2246+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 2246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123J-D.PDF
DTA123JET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
40+7.43 грн
100+4.59 грн
500+3.14 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G DTA123J-D.PDF
DTA123JET1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 13938 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+13.91 грн
37+8.24 грн
100+4.46 грн
500+3.29 грн
1000+2.93 грн
3000+2.27 грн
9000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G dta123j-d.pdf
DTA123JET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+17.41 грн
74+10.34 грн
120+6.34 грн
500+4.42 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JET1G ONSM-S-A0003071246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 304333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.