
DTA123JET1G ON Semiconductor
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9934+ | 1.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123JET1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA123JET1G за ціною від 1.14 грн до 16.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 9224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DTA123JET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 304333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DTA123JET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |