DTA123JMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2505+ | 4.86 грн |
| 2578+ | 4.72 грн |
| 5000+ | 4.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123JMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA123JMT2L за ціною від 2.10 грн до 27.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA123JMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.15W Current gain: 80 Frequency: 250MHz |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTA123JMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.15W Current gain: 80 Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTA123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 5499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTA123JMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP 50V 100MA |
на замовлення 5989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTA123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DTA123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DTA123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |