DTA123JUAT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 173279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3808+ | 3.24 грн |
| 4732+ | 2.61 грн |
| 5396+ | 2.29 грн |
| 6000+ | 2.20 грн |
| 24000+ | 1.80 грн |
| 96000+ | 1.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123JUAT106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA123JUAT106
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
DTA123JUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DTA123JUA T106 | Виробник : ROHM | SOT-323 00+ |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
DTA123JUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|
|
|
DTA123JUAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP 50V 100MA |
товару немає в наявності |

