DTA123TM3T5G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7732+ | 3.66 грн |
| 10000+ | 3.25 грн |
| 100000+ | 2.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123TM3T5G ON Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-723, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Bulk, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 260 mW.
Інші пропозиції DTA123TM3T5G за ціною від 2.32 грн до 3.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA123TM3T5G | Sanyo |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-723 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Bulk Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 260 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DTA123TM3T5G | Sanyo Electric |
DTA123TM3T5G |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DTA123TM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA123TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTA123TM3T5G |
![]() |
Виробник: Sanyo
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Bulk
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 260 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Bulk
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 260 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9427+ | 2.32 грн |
| DTA123TM3T5G |
![]() |
Виробник: Sanyo Electric
DTA123TM3T5G
DTA123TM3T5G
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7732+ | 3.66 грн |
| 10000+ | 3.25 грн |
| DTA123TM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA123TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTA123TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



