
DTA124EET1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18000+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA124EET1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTA124EET1G за ціною від 1.25 грн до 13.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 32974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DTA124EET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
DTA124EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DTA124EET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.2W Current gain: 60...100 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DTA124EET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.2W Current gain: 60...100 |
товару немає в наявності |