DTA124EUA Yangjie Technology



Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.55 грн
15000+1.42 грн
30000+1.35 грн
60000+1.19 грн
120000+1.05 грн
300000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA124EUA Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-323, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323.

Інші пропозиції DTA124EUA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA124EUA ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124EUA
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.