Продукція > DTA143ESATP

DTA143ESATP

DTA143EE,EKA,EM,ESA,EUA.pdf
Виробник:

на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA143ESATP

Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SC-72 Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SPT, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції DTA143ESATP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTA143ESATP DTA143ESATP Rohm Semiconductor DTA143EE,EKA,EM,ESA,EUA.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA143ESATP ROHM Semiconductor rohm semiconductor_dta143ee-1201509.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA143ESATP DTA143EE,EKA,EM,ESA,EUA.pdf
DTA143ESATP
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA143ESATP rohm semiconductor_dta143ee-1201509.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.