DTA144EE3TL

DTA144EE3TL Rohm Semiconductor


dta144ee3-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA144EE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA144EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA144E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTA144EE3TL за ціною від 3.11 грн до 25.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA144EE3TL DTA144EE3TL Виробник : ROHM dta144ee3-e.pdf Description: ROHM - DTA144EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA144E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.70 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3TL DTA144EE3TL Виробник : ROHM dta144ee3-e.pdf Description: ROHM - DTA144EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA144E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+18.77 грн
64+13.01 грн
101+8.18 грн
500+4.70 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3TL DTA144EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dta144ee3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
26+11.77 грн
100+7.34 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3TL DTA144EE3TL Виробник : ROHM Semiconductor dta144ee3-e.pdf Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.52 грн
22+15.53 грн
100+6.31 грн
1000+5.28 грн
3000+4.18 грн
9000+3.45 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3TL DTA144EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dta144ee3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.