
DTB113ZCT116 ROHM Semiconductor
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 29.28 грн |
15+ | 23.38 грн |
100+ | 10.86 грн |
500+ | 7.12 грн |
1000+ | 4.84 грн |
3000+ | 3.74 грн |
9000+ | 3.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTB113ZCT116 ROHM Semiconductor
Description: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTB113ZCT116 за ціною від 5.09 грн до 29.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTB113ZCT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTB113ZCT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DTB113ZCT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DTB113ZCT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 200MHz |
товару немає в наявності |