DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTB114ECHZGT116 за ціною від 3.74 грн до 21.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
31+9.92 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor dtb114echzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 ROHM dtb114echzg-e.pdf Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 ROHM dtb114echzg-e.pdf Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor dtb114echzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.05 грн
31+9.92 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 dtb114echzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
944+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 dtb114echzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 dtb114echzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB114ECHZGT116 dtb114echzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.