DTB114GCT116

DTB114GCT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTB114GC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB114GCT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTB114GCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTB114G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTB114GCT116 за ціною від 2.66 грн до 28.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTB114GCT116 DTB114GCT116 Виробник : ROHM 2706683.pdf Description: ROHM - DTB114GCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB114G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.26 грн
1000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTB114GCT116 DTB114GCT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB114GC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.96 грн
17+ 18.94 грн
100+ 6.38 грн
1000+ 4.32 грн
3000+ 3.32 грн
9000+ 2.86 грн
24000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTB114GCT116 DTB114GCT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB114GC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.59 грн
14+ 20.69 грн
100+ 10.97 грн
500+ 6.77 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTB114GCT116 DTB114GCT116 Виробник : ROHM 2706683.pdf Description: ROHM - DTB114GCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB114G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.61 грн
36+ 20.86 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.26 грн
1000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 27