Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTB123YCHZGT116
DTB123YCHZGT116

DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTB123YCHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
34+8.88 грн
100+5.51 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTB123YCHZGT116 за ціною від 5.08 грн до 19.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+19.04 грн
72+10.59 грн
111+6.83 грн
500+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB123YCHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 17742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 ROHM dtb123ychzg-e.pdf Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 ROHM dtb123ychzg-e.pdf Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 dtb123ychzg-e.pdf
DTB123YCHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+19.04 грн
72+10.59 грн
111+6.83 грн
500+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 datasheet?p=DTB123YCHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTB123YCHZGT116
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 17742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 dtb123ychzg-e.pdf
DTB123YCHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 dtb123ychzg-e.pdf
DTB123YCHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 dtb123ychzg-e.pdf
DTB123YCHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB123YCHZGT116 dtb123ychzg-e.pdf
DTB123YCHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.