Продукція > ROHM > DTB123YCHZGT116
DTB123YCHZGT116

DTB123YCHZGT116 ROHM


dtb123ychzg-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.91 грн
1000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB123YCHZGT116 ROHM

Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції DTB123YCHZGT116 за ціною від 1.79 грн до 17.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM dtb123ychzg-e.pdf Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+15.28 грн
72+ 10.36 грн
186+ 4.02 грн
500+ 2.91 грн
1000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 49
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 23039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.28 грн
27+ 11.69 грн
100+ 4.12 грн
1000+ 3.06 грн
3000+ 2.46 грн
9000+ 2.06 грн
24000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Description: PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.96 грн
20+ 14.39 грн
100+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR dtb123ychzg-e.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Description: PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
товар відсутній
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR dtb123ychzg-e.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній