Продукція > ROHM > DTB513ZE3TL
DTB513ZE3TL

DTB513ZE3TL ROHM

datasheet?p=DTB513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB513Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.95 грн
500+7.31 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB513ZE3TL ROHM

Description: ROHM - DTB513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTB513Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V.

Інші пропозиції DTB513ZE3TL за ціною від 5.59 грн до 34.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTB513ZE3TL DTB513ZE3TL ROHM datasheet?p=DTB513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTB513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB513Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.14 грн
48+16.99 грн
100+10.95 грн
500+7.31 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB513ZE3TL DTB513ZE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
14+23.82 грн
100+12.84 грн
500+8.84 грн
1000+6.77 грн
3000+6.08 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB513ZE3TL DTB513ZE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.12 грн
100+12.74 грн
500+8.95 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB513ZE3TL datasheet?p=DTB513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTB513ZE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB513Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.14 грн
48+16.99 грн
100+10.95 грн
500+7.31 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB513ZE3TL datasheet?p=DTB513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTB513ZE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+31.17 грн
14+23.82 грн
100+12.84 грн
500+8.84 грн
1000+6.77 грн
3000+6.08 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB513ZE3TL datasheet?p=DTB513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTB513ZE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.12 грн
100+12.74 грн
500+8.95 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.