на замовлення 23999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 14+ | 23.81 грн |
| 100+ | 8.86 грн |
| 1000+ | 6.13 грн |
| 2500+ | 5.79 грн |
| 8000+ | 5.18 грн |
| 24000+ | 4.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTB513ZMT2L ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 260 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTB513ZMT2L за ціною від 6.94 грн до 32.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTB513ZMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 7732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTB513ZMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |