на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.85 грн |
| 17+ | 20.76 грн |
| 100+ | 10.42 грн |
| 1000+ | 7.49 грн |
| 2500+ | 7.41 грн |
| 8000+ | 6.39 грн |
| 24000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTB523YMT2L ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 260 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTB523YMT2L за ціною від 8.88 грн до 41.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTB523YMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DTB523YMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTB523YMT2L PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DTB523YMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |