Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTB543ZE3TL
DTB543ZE3TL

DTB543ZE3TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTB543ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB543ZE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTB543ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTB543Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V.

Інші пропозиції DTB543ZE3TL за ціною від 5.45 грн до 34.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTB543ZE3TL DTB543ZE3TL ROHM dtb543ze3tl-e.pdf Description: ROHM - DTB543ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB543Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.28 грн
500+7.37 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZE3TL DTB543ZE3TL ROHM dtb543ze3tl-e.pdf Description: ROHM - DTB543ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB543Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.14 грн
46+17.56 грн
100+11.28 грн
500+7.37 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZE3TL DTB543ZE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB543ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
17+19.29 грн
100+10.63 грн
500+7.94 грн
1000+7.11 грн
3000+5.94 грн
6000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZE3TL DTB543ZE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB543ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.12 грн
100+12.74 грн
500+8.95 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZE3TL dtb543ze3tl-e.pdf
DTB543ZE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB543ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB543Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.28 грн
500+7.37 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZE3TL dtb543ze3tl-e.pdf
DTB543ZE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB543ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB543Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.14 грн
46+17.56 грн
100+11.28 грн
500+7.37 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZE3TL datasheet?p=DTB543ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTB543ZE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+31.89 грн
17+19.29 грн
100+10.63 грн
500+7.94 грн
1000+7.11 грн
3000+5.94 грн
6000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZE3TL datasheet?p=DTB543ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTB543ZE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.12 грн
100+12.74 грн
500+8.95 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.