DTB543ZETL ROHM Semiconductor


datasheet?p=DTB543ZE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.06 грн
14+23.40 грн
100+12.68 грн
500+10.59 грн
1000+9.34 грн
3000+6.13 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB543ZETL ROHM Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 260 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: EMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DTB543ZETL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTB543ZETL DTB543ZETL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB543ZE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTB543ZETL datasheet?p=DTB543ZE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.